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元件参数资料
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参数目录42517
> CSD16408Q5C MOSFET N-CH 25V 113A 8SON
型号:
CSD16408Q5C
RoHS:
否
制造商:
Texas Instruments
描述:
MOSFET N-CH 25V 113A 8SON
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
CSD16408Q5C PDF
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PowerStack? Packaging Technology Overview
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CSD164 Series N-Channel Pkg
特色产品
DualCool? NexFET? CSD16 Q5C MOSFETs
标准包装
1
系列
NexFET™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
113A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
4.5 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8.9nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1300pF @ 12.5V
功率 - 最大
3.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
8-SON-EP(5x6)
包装
标准包装
其它名称
296-25647-6
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